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用电子束蒸镀方法在250℃～450℃的衬底温度范围内在单晶Si村底(111)晶面上成功生长了Zn0.85 Co0.14 Cu0.01O薄膜,并研究了衬底温度对薄膜质量的影响,结果表明:当衬底温度为400℃时,外延膜取向性最好,且其(002)衍射峰半高宽最窄,仅为0.408°.
ZnO.85 Co0.14 Cu0.01O薄膜的制备及其微结构
【摘 要】
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用电子束蒸镀方法在250℃～450℃的衬底温度范围内在单晶Si村底(111)晶面上成功生长了Zn0.85 Co0.14 Cu0.01O薄膜,并研究了衬底温度对薄膜质量的影响,结果表明:当衬底温度为400
【机 构】
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合肥师范学院,物理与电子工程系,安徽,合肥,230061
【出 处】
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合肥师范学院学报
【发表日期】
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2008年3期
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