电子束蒸镀相关论文
以氢气为动力的质子交换膜燃料电池（PEMFC）具有能量转换效率高、零排放、无污染等特点,是取代传统内燃机在交通运输领域应用的最有前......
以黑磷、硅烯为代表的四、五族单元素二维材料（即X-烯）因具有介于石墨烯和二维过渡金属硫化物之间的可调节带隙,愈发受到二维材料及......
层状MoS2是具有可调节带隙和类石墨烯层状结构的材料,是层状材料中的研究热点,在电子器件和润滑等方面有极大的应用潜力,但大面积......
目的:钛作为一种新兴的金属材料,广泛应用于口腔的各个领域,如纯钛种植体,可摘局部义齿纯钛支架,钛金属桩核及纯钛基底烤瓷冠,纯钛......
采用双源同时蒸发的电子束蒸镀技术,通过调节蒸发源束流,制备了元素分布均匀、力学性能优于纯Ti膜的Ti-Hf合金膜,并采用XRD和SEM分......
利用电子束蒸镀技术在石英玻璃上沉积SnF_2掺杂SnO_2(FTO)薄膜。研究了不同退火温度对FTO薄膜结构和光电性能的影响。研究结果表明......
采用电子束蒸镀在ITO上沉积Hf O2,研究了不同退火工艺对其电学性能的影响。当450℃时O2退火,Hf O2的漏电迅速增加,通过X射线衍射发......
目的:应用电子束蒸镀的方法于纯钛表面沉积不同厚度钴铬合金涂层以研究其对钛瓷结合强度的影响。方法:将60片切削钛片(25mm×5mm×......
宽波段光吸收体在太阳能利用、光探测等领域具有重要的应用价值.本研究以带铝基的多孔氧化铝(AAO)膜为模板,采用真空电子束蒸镀技......
采用电子束蒸镀在重掺杂Si衬底上制备了150 nm厚的Ta2O5薄膜,研究原位生长温度(150,250和350 ℃)和后退火工艺对Ta2O5薄膜性能的影......
目前，表面增强拉曼散射（SERS）检测技术应用的主要瓶颈在于尚不能实现低成本地大规模制造均一性好的高性能SERS基底。针对高性能SERS基......
254nm的紫外光源广泛应用于环保、医学、化工、印刷、公安、考古等部门和领域。根据紫外光学系统的设计要求,在K9基底上研制了254n......
随着IC向着高密度化、高速化和微细化的发展，传统的铝互连已经不能满足要求，取而代之的是铜互连技术，即铜芯片技术。铜互连可以提高芯......
为了克服电子束蒸镀技术存在的不足,提高蒸镀薄膜与基体的膜基结合力,从而扩大电子束蒸镀技术的应用范围。本文在实验室原有电子束......
本文研究了电子束蒸发镀铝 铬合金涂层的制备工艺 ,通过讨论不同的电压、束流对膜层外观、结合力、内应力的影响 ,确定了合适的陈......
用电子束蒸镀和二极直流溅射方法分别制备了钴铬垂直磁化薄膜。1)用VSM及X射线薄膜磁化强度取向摆动曲线的Δθ50等方法做了磁性等......
TiO2具有高的折射率、低的吸收系数等特点，镀膜时真空腔体温度与离子源功率等因素对TiO2薄膜折射率分布规律有很大影响，本文用电子束......
用电子束蒸镀方法在250℃～450℃的衬底温度范围内在单晶Si村底(111)晶面上成功生长了Zn0.85 Co0.14 Cu0.01O薄膜,并研究了衬底温度......
采用电子束蒸镀在ITO上沉积HfO2,研究了不同退火工艺对其电学性能的影响.当450℃时O2退火,HfO2的漏电迅速增加,通过X射线衍射发现H......
采用电子束蒸镀法在H2O+ O2气氛下制备了MgO介质保护膜,通过扫描电镜、X射线衍射(XRD)等方法分析了MgO薄膜的表面、截面形貌与晶体......
宽波段光吸收体在太阳能利用、光探测等领域具有重要的应用价值。本研究以带铝基的多孔氧化铝(AAO)膜为模板,采用真空电子束蒸镀技......
采用超高真空电子束蒸镀方法制备了Fe/Ru多层膜,Ru层厚度固定为2 nm,Fe层厚度为0.6～5 nm,研究了Fe层厚度的变化对薄膜结构及其磁性......
氧化铟锡（ITO）对可见光具有高透过率及高电导率，常当作透明电极被广泛应用于发光元件上。使用合金的热处理方式。探讨了ITO经热处理后......
用电子束蒸镀方法在250℃～450℃的衬底温度范围内在单晶Si衬底（111）晶面上成功生长了Zn0.85Co0．14Cu0.01O薄膜，并研究了衬底温度对薄膜......
制备一种新型硅基铂钛夹层AAO模版,并用这种模版制备量子线阵列.在硅基上依次用电子束蒸镀铂膜、钛膜和铝层,把在草酸溶液中阳极氧......
氧化铟锡（ITO）对可见光具有高透过率及高电导率,常当作透明电极被广泛应用于发光元件上。使用合金的热处理方式,探讨了ITO经热处理后......
用X射线衍射方法分析了在Si(001)衬底上电子束蒸镀制备的Zn0.84Co0.15Cu0.01O薄膜的结构特征,测量了薄膜的磁性质,研究了衬底温度......
采用电子束蒸发法制备具有不同Co层厚度的Co/Ru多层膜。采用X射线衍射（XRD）、高分辨透射电镜（HRTEM）、扫描电镜（TEM）等对多层膜的微观结......
利用电子束蒸镀技术在石英玻璃和单晶Si〈100〉上制备了纳米TiO2 薄膜,研究了衬底温度和退火温度对其结构、相组成和亲水性能的影......
用ＤＭＰ－４５０型电子束镀膜机，制备了Ｙ２Ｏ３－ＺｒＯ２膜，并将它用作１．３μｍ半导体激光器的减反射膜。测试结果表明，镀膜后的半导体激光器其外微分子量效率明显提高，线性......
在200～500℃的衬底温度范围,用电子束蒸镀法制备了具有室温铁磁性的ZnCoMnO薄膜.400℃制备的薄膜饱和磁化强度和剩磁最大.X射线分析......
采用电子束蒸镀法在SiO2/Si基底上蒸镀厚度为100 nm的硫化镉薄膜,然后利用掩膜版蒸镀电极,成功制备出了硫化镉薄膜光探测器。运用X......
目的:探索在纯钛表面电子束蒸镀纳米二氧化硅涂层对提高钛瓷结合强度的影响。方法:将50个纯钛试件随机分成5组,每组10片,喷砂后用......
为了克服电子束蒸镀技术的不足,提高蒸镀薄膜与基体的膜基结合力,通过增加射频线圈的方法,在电子束蒸镀沉积过程中实现了射频自体......
目的:应用电子束蒸镀的方法于纯钛表面沉积不同厚度钴铬合金涂层以研究其对钛瓷结合强度的影响。方法:将60个喷砂后的钛片(25.0 mm......
封装石英管真空熔炼合成CuIn0.7Ga0.3Se2（CIGS）块体,再采用电子束蒸镀此块体,制备用于太阳电池吸收层的CIGS薄膜,然后对薄膜进行不同......
本文研究了用电子束蒸镀工艺制备用于光波导器件的 Si O2 膜。采用高温退火处理工艺使 Si O2 膜的光学和物理特性稳定。在蒸镀过程......
食品保质保鲜要求包装材料具有优良的阻隔性能,即阻止水蒸气和气体渗透的性能。镀 SiOx 阻隔材料具有足以与镀铝材料相媲美的阻隔......
采用电子束蒸镀的方法,以有机玻璃为基材,在其表面蒸镀铬过渡层,再蒸镀铝,最后蒸镀保护层二氧化硅。实验结果表明:增加铬过渡层的......
氧化锆陶瓷由于熔点高，密度小，热导率低，热膨胀系数与高温合金相近，而成为热障涂层的首选材料，本文的工作是在高温合金GH4141上实现高结......
半导体材料可分为由单一元素构成的元素半导体与两种以上元素化合物所构成的化合物半导体两类,前者如硅(Silicon)、锗(Germanium)......
用真空电子束蒸镀的方法制备半导体发光二极管LED所用的ITO膜,然后在N2气环境中进行快速热退火(RTA)处理,对ITO膜的各项特性进行测......
期刊
氧化铝陶瓷膜层具有很好的隔热性,耐腐蚀性,耐氧化性,耐磨损性以及良好的电绝缘性,因此在机械电子方面,医药化工方面,建筑卫生方面......
在200～500℃的衬底温度范围内,用电子束蒸镀法在Si衬底上制备了沿[002]取向的Zn0.80Co0.15Mn0.05O薄膜.这些薄膜都具有室温铁磁性,......
