熔盐法合成SrBi_2Nb_2O_9粉体(英文)

来源 :人工晶体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:s4553711
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
以分析纯的Bi2O3,Nb2O5和SrCO3为原料,以KCl和NaCl为熔盐,采用熔盐法在800~1000℃合成了片状SrBi2Nb2O9粉体。研究了熔盐含量及合成温度对晶体定向生长和粉体形貌的影响。结果表明:与固相法相比,熔盐法是一种有效的晶粒定向生长的方法。制备的粉体呈明显的片状和高度的各向异性,且无团聚现象产生。沿(00l)面择优生长适合的熔盐含量为60%质量分数,随着熔盐含量的增加,晶粒尺寸逐渐增大。合成温度在900℃为最优,可获得较大尺寸和高度各向异性的SrBi2Nb2O9粉体。 With the analytical grade of Bi2O3, Nb2O5 and SrCO3 as raw materials, KCl and NaCl as molten salt, molten salt method was used to synthesize flaky SrBi2Nb2O9 powder at 800 ~ 1000 ℃. The influence of molten salt content and synthesis temperature on the crystal growth and powder morphology was investigated. The results show that, compared with the solid phase method, the molten salt method is an effective grain-oriented growth method. Preparation of the powder showed significant sheet and a high degree of anisotropy, and no agglomeration phenomenon. The preferred molten salt content along the (00l) plane is 60% of the mass fraction. With the increase of the molten salt content, the grain size gradually increases. The optimum synthesis temperature is 900 ℃, and SrBi2Nb2O9 powder with larger size and height anisotropy can be obtained.
其他文献
在一个宽的生长速率范围生长了碲镉汞晶体。用光学透射法和密度测量法研究了所生长之晶体的轴向和径向的组分变化。以较慢的速率生长的晶体,轴向组分分布类似充分混合的熔体
激励———保健理论认为只有激励因素才能够给公众带来满意感,而保健因素只能消除公众的不满,不会带来满意感。在激励———保健理论的指引下,公务员应树立“以顾客为中心”
蕤实施安全生产法 人人事事保安全@杨全胜 蕤 the implementation of safe production of legal personnel everything Security @ Yang Quansheng
期刊
从营口市鲅鱼圈区消防大队到这家韩国企业只不过几分钟的路程。 到了一心箱包有限公司门口的时候,我们却被保安人员礼貌的拦住,原因是我们要找的人没有联系上,他们无法确定
著名编辑出版家、首届“韬奋出版奖”获得者、人民文学出版社鲁迅著作编辑室原主任王仰晨先生去世将近两年了,尽管我和他见面不多,交往不深,但他却是我非常尊敬的一位长者。
现在市场上新赛扬已经大量上市,假货还未兴起,可由于大部分主板厂商的BIOS还未对新赛扬的出现做及时调整,这就有可能造成主板误把新赛扬认成Coppermine,如果你是一位“菜鸟
采用改进的液相外延浸渍技术,在Te溶液中生长出Cd组分(x值)为0.17~0.4的HgCdTe外延层,系统中未加汞长出了纯CdTe外延层,这样就首次制成了背面照射HgCdTe/CdTe异质结构的二极
本文介绍的X63集成脉冲宽度调制器,是我所于81年4月定型的研制产品。它主要是作为脉冲宽度调制开关稳压器的控制电路,为单端型、双端型的开关稳压电源提供可控的开关信号。
提高成品率是集成电路生产和研制中十分重要的课题。本文从基础工艺出发,概述了影响集成电路成品率的基本因素,提出了提高成品率的工艺措施。 Improve the yield is integra
经二○九所学术委员会讨论,评选出1978~1979年度科技成果如下: 砷酸二氢铯单晶的生长; 掺镁铌酸锂晶体的研制和生长; 雪崩光电二极管在激光测距机中的应用; 测定半导体导电类