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采用坩埚下降法生长了Tm^3+掺杂浓度为0.45%,0.90%,1.63%与3.25%(摩尔分数,X)的LiLuF4单晶.测试了样品的电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)、X射线衍射(XRD)谱、吸收光谱(1400—2000nm),并且分析比较了808nm半导体激光器(LD)激发下荧光光谱.结果表明:当Tm^3+的浓度从0.45%变化到3.25%时,1800nm处的荧光强度呈现了先增后减的趋势,当掺杂浓度约为0.90%时达到最大值,而位于1470nm处的荧光强度则呈现了相反的趋势.Tm^3+:^