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本文利用超高真空ＳＴＭ和ＬＥＥＤ装置观察了错切角为０．５°和４．５°的Ｓｉ（１００）微斜面的原子结构，观察到错切角为０．５°时ＳＴＭ像为单原子高度台阶表面结构，错切角为４．５°时ＳＴＭ像为双原子高度台阶结构。
利用STM观察Si（100）微斜面的表面结构
【摘 要】
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本文利用超高真空ＳＴＭ和ＬＥＥＤ装置观察了错切角为０．５°和４．５°的Ｓｉ（１００）微斜面的原子结构，观察到错切角为０．５°时ＳＴＭ像为单原子高度台阶表面结构，错切角为４．５°时ＳＴＭ像为双原子高度台阶结构。
【机 构】
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北京大学无线电系,日本早稻田大学
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1994年7期
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