采用“夹层结构”的方法，在制作平面型Ｇｕｎｎ畴雪崩器件的ｎ型ＧａＡｓ外延材料上，低温淀积ＳｉＯ２并叙述了原理、工艺条件及其重要结果。......

极性纤锌矿结构GaN外延薄膜生长时是沿着它的极性轴,主要是[0001]和[0001]方向的,而这两个极性方向对薄膜的生长、掺杂以及极性表......

本文利用超高真空ＳＴＭ和ＬＥＥＤ装置观察了错切角为０．５°和４．５°的Ｓｉ（１００）微斜面的原子结构，观察到错切角为０．５°时ＳＴＭ像为单原子高度台阶表面结构，错切......

运用动力学蒙特卡罗方法模拟两种原子组成的薄膜外延生长时形成纳米团簇的过程。通过分析原子相互作用能和相分离的关系，发现动力学......