稀土掺杂硅基薄膜的高效发光特性

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:silent_control
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
测量了在不同离子注入剂量,不同退火条件下的Nd注入Si基晶片室温光致发光谱,结果表明它们均具有蓝、紫发光峰,且发光稳定.在一定范围内发光效率随掺杂浓度的增加而增大,随退火条件的不同而改变.在实验室条件下,对掺杂硅片和单晶硅片进行电化学腐蚀制成多孔硅样片,同时用适当配比的HNO3对以单晶硅为基底的多孔硅进行处理,测试了腐蚀后各类样品的光致发光(PL)谱.发现掺稀土Nd的多孔硅和用HNO3处理的多孔硅的发光效率有显著提高.
其他文献
利用背散射/沟道(RBS/C)技术、原子力显微镜(AFM)和光致发光(PL)谱研究了掺镨GaN薄膜的微结构和可见光发光特性.RBS/C结果表明,注入Pr后,在注入层引入了晶格损伤;注入样品经1
制备了Yb3+/Er3+共掺杂的TeO2-WO3-ZnO玻璃,测量了Er3+在玻璃中的吸收光谱和970 nm LD激发下的荧光光谱、荧光寿命和上转换光谱.计算了Yb3+/Er3+间的能量传递效率和Er3+子1.5
用共沉淀法合成出Yb3+, Er3+离子双掺杂的Y2O3粉体,X射线衍射结果表明所制备粉体为立方Y2O3结构.场发射扫描电镜照片显示其颗粒形状为球形,粒径为60~80 nm;该粉体在波长为980
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备含有纳米晶硅的SiO2(NCSO)和含有非晶纳米硅颗粒的氢化非晶氧化硅(a-SiOx:H)薄膜.采用离子注入和高温退火方法将稀土Fr掺入含有
采用适合宽禁带半导体材料的电化学电容电压(ECV)分析仪,对掺硅GaN外延片用硫酸逐层进行了精密腐蚀后,在此基础上得到了在进口MOCVD设备上生产的GaN基外延片的载流子浓度纵向
对异质结势采用三角势近似,考虑屏蔽效应,用变分法讨论磁场下半导体异质结系统中的施主杂质态,数值计算了GaAs/AlxGa1-xAs单异质结系统中杂质态结合能随磁场的变化关系.结果
采用LP-MOCVD技术在n-GaAs衬底上生长了AlGalnP/GalnP多量子阱红光LED外延片.以x射线双晶衍射技术和光致发光技术对外延片进行了表征,研究了Si掺杂对AlGalnP/GalnP多量子阱性
报道了一种采用湿化学法,以Ag纳米球为模板合成纳米Au球壳水溶胶的新方法,并对这种材料的光热转换性质进行了研究.TEM分析表明,Au 纳米颗粒呈球壳结构,粒径约为20 nm,粒径分
报道了用单离子导体聚氨酯酰亚胺磺酸钠(PUI)作为固体电解质和共聚[2,5-二(三乙氧基)-1,4-对苯乙炔]-[1,4-对苯乙炔](BETO-PPV)作为发光层的单离子聚合物发光电池(SLEC)的制
用电化学腐蚀法制备了多孔硅(PS),在氢等离子体气氛中不同温度下对多孔硅样品进行了退火处理,并进行了光致发光(PL)谱和原子力显微镜(AFM)表面形貌的测量。不同退火温度给PS表