掺铒纳米晶硅和掺铒非晶纳米硅薄膜的发光性质

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【摘要】

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采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备含有纳米晶硅的SiO2(NCSO)和含有非晶纳米硅颗粒的氢化非晶氧化硅(a-SiOx:H)薄膜.采用离子注入和高温退火方法将稀土Fr掺入含有

【作者】

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陈维德陈长勇卞留芳

【机构】

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中国科学院半导体研究所,中国科学院表面物理国家重点实验室

【出处】

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发光学报

【发表日期】

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2005年5期

【关键词】

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稀土离子注入纳米硅富硅氧化硅 rare earth ion implantation Si-nanocrystals a-SiOx： H

【基金项目】

：

国家自然科学基金

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采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备含有纳米晶硅的SiO2(NCSO)和含有非晶纳米硅颗粒的氢化非晶氧化硅(a-SiOx:H)薄膜.采用离子注入和高温退火方法将稀土Fr掺入含有纳米晶硅(nc-Si)和非晶纳米硅(a-n-Si)颗粒的基体中.利用IFS/20HR傅里叶变换红外光谱仪和微区拉曼散射光谱仪研究含有纳米晶硅和非晶纳米硅颗粒的薄膜掺稀土前后的发光特性.结果表明来自nc-Si在800 nm的发光强度比来自a-SiOx:H基体中非晶纳米硅的发光强度高近一个数量级,而来自a-SiOx:H在1

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