【摘 要】
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采用聚硅氮烷前驱体热裂解方法制备SiC纳米棒,并利用SEM、XRD和EDX表征了SiC纳米棒的结构和组成,表明得到的SiC的组分比C:Si接近1:1.用微区Raman和光致发光方法研究了纳米棒
【机 构】
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中国科学院激发态物理重点实验室,清华大学材料学科学与工程系
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采用聚硅氮烷前驱体热裂解方法制备SiC纳米棒,并利用SEM、XRD和EDX表征了SiC纳米棒的结构和组成,表明得到的SiC的组分比C:Si接近1:1.用微区Raman和光致发光方法研究了纳米棒的光学性质.观测到SiC的TO模式对应的Raman峰和相邻肩峰.对SiC纳米棒观测到其紫外3.25 eV附近强的光致发光峰,我们认为它归结为α型SiC带间的跃迁.通过XRD、Raman和光发射谱,我们推测前驱体热裂解得到的SiC纳米棒是一个混晶,纳米棒的表层是立方晶,而内层主要为a-SiC.
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