PECVD方法直接合成硅氧纳米复合薄膜（nc-SiOx：H）

来源 :真空科学与技术学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ribb5619

【摘要】

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首次报道了以SiH4、N2O和H2混合气体为原料,用PECVD工艺直接合成硅氧纳米复合薄膜(nc-SiOx:H),未经任何后处理过程观察到了可见光致发光现象,发光峰位于530 nm(2.34eV)左右.

【作者】

：

史国华韩高荣杜丕一赵高凌沈鸽张溪文

【机构】

：

浙江大学材料系

【出处】

：

真空科学与技术学报

【发表日期】

：

2004年6期

【关键词】

：

纳米复合薄膜 PECVD 发光峰光致发光 FTIR 直接合成红外光谱纳米硅高分辨发光强度 nc-SiOx:H filmsPhotoluminescen

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首次报道了以SiH4、N2O和H2混合气体为原料,用PECVD工艺直接合成硅氧纳米复合薄膜(nc-SiOx:H),未经任何后处理过程观察到了可见光致发光现象,发光峰位于530 nm(2.34eV)左右.通过红外光谱(FTIR)、XRD、高分辨电镜(HRTEM)等手段观察分析了薄膜的组成和结构,薄膜形成了纳米硅在氧化硅网络中的镶嵌式结构.发光强度随薄膜中氧含量的增加而提高,认为薄膜的发光主要是由于跟氧有关的结构缺陷引起的.

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