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主要介绍了碳化硅材料的特性、６Ｈ－ＳｉＣ、３Ｃ－ＳｉＣ单晶生长技术进展及其器件的研究成果。
碳化硅单晶生长技术进展及应用前景
【摘 要】
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主要介绍了碳化硅材料的特性、６Ｈ－ＳｉＣ、３Ｃ－ＳｉＣ单晶生长技术进展及其器件的研究成果。
【出 处】
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电子材料（机电部）
【发表日期】
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1995年10期
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