【摘 要】
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在GeTe中掺杂In能够引入共振能级,但其微观结构对热电性能的影响还不明确。本研究采用熔炼–淬火–退火并结合放电等离子体烧结(SPS)的方法制备了系列Ge1–xInxTe样品,采用XR
【机 构】
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上海工程技术大学材料工程学院,东华大学材料科学与工程学院,东华大学先进玻璃制造技术教育部工程研究中心
【基金项目】
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国家自然科学基金(51774096,51871053),上海市科委科技创新行动计划基础研究领域项目(18JC1411200)
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在GeTe中掺杂In能够引入共振能级,但其微观结构对热电性能的影响还不明确。本研究采用熔炼–淬火–退火并结合放电等离子体烧结(SPS)的方法制备了系列Ge1–xInxTe样品,采用XRD、SEM、激光导热仪和热电性能分析系统(ZEM-3)对其微观结构和热电性能进行了研究。结果表明,随着In元素的掺入,Ge1–xInxTe的晶胞体积减小、人字鱼骨结构变小、晶界增多,导致晶格热导率降低,获得的最低热导率为2.16 W·m–1·K–1。同时,掺杂In引入了共振能级,降低了载流子浓度,使塞贝克
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