In组分变化对GaN基材料光学性质影响第一性原理研究

来源 :牡丹江师范学院学报（自然科学版） | 被引量 : 0次 | 上传用户：goodgay3_2004

【摘要】

：

摘要：研究组分变化中InxGa1xN材料光学性能的变化.通过掺杂方式改变InxGa1xN材料In组分含量，获得计算模型.计算结果表明，随着In组分的增加，价带结构发生改变，从而影响了电子的迁移及其内量子效率;材料的折射系数、吸收系数、反射系数以及能量损失系数均发生变化;In組分为0.5时，能量损失峰值最小，有利于提升紫外光的出光效率.　　关键词：GaN基材料;第一性原理;光学特性

【作者】

：

刘鑫代广珍姜永召刘宇航韩名君

【出处】

：

牡丹江师范学院学报（自然科学版）

【发表日期】

：

2019年3期

【关键词】

：

GAN基材料第一性原理光学特性 GaN-based materials first principles optoelectronics propertie

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　　摘要：研究组分变化中InxGa1xN材料光学性能的变化.通过掺杂方式改变InxGa1xN材料In组分含量，获得计算模型.计算结果表明，随着In组分的增加，价带结构发生改变，从而影响了电子的迁移及其内量子效率;材料的折射系数、吸收系数、反射系数以及能量损失系数均发生变化;In組分为0.5时，能量损失峰值最小，有利于提升紫外光的出光效率.
　　关键词：GaN基材料;第一性原理;光学特性

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