GAN基材料相关论文
GaN基半导体材料的禁带宽度覆盖了整个可见光波段,且其具有优良的物理化学特性,其因而被广泛应用于光电子器件、电力电子器件及射......
采用157 nm波长准分子激光,对LED-GaN半导体薄膜进行了刻蚀试验研究。探讨了GaN基半导体材料的基本刻蚀特性和刻蚀机理。结果表明,......
作为第三代半导体材料,氮化镓(GaN)在紫外探测方面具有独特的优势。因此,GaN基紫外探测器在民用和军事领域得到了广泛的应用。......
我们使用GaN基材料制备了PIN结构核辐射探测器，研究了探测器对X射线响应的多方面性能.在没有X射线照射时，探测器具有很低的漏电......
GaN材料本身具有极大的优越性，如大禁带宽度、高临界场强、高热导率、高载流子饱和速率、异质结界面二维电子气浓度高，决定了GaN......
GaN基半导体材料的高场输运性质凭借其在高功率、高频率电子器件工作过程中的重要性，受到了广泛的关注。负微分电阻效应是一种......
宽禁带半导体GaN基电子器件在微波大功率方面具有极其优异的性能,近年来成为国内外的研究热点。虽然近年来GaN基电子器件的研究取......
该文围绕GaN基材料和发光二级管(LED)以及GaAs太联能电池展开了研究,取得如下结果:1、观察了GaN在生长初期形貌的发展;用统计的方......
该文通过X射线衍射分析、原子力显微镜观察、透射电镜观察、红外透射光谱分析、紫外-可见吸收光谱分析和光致发光试验,研究了用金......
GaN是一种宽禁带半导体材料,它具有高电子迁移率、高热导等优异的物理性质,近来受到人们的广泛关注。GaN基材料广泛地被用于蓝、绿......
该研究以GaN基材料的结构特性为主要研究内容,利用X射线衍射技术分析了GaN及其合金外延层的基本结构特性,进而建立了定量的评价体......
GaN基材料具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、击穿电场高、热导率高等特点，是制备高温微波功率器件的理想材料。AlGaN/GaN高电子......
GaN基材料作为第三代半导体的典型代表,具有宽禁带、高电子漂移饱和速度、高击穿电场、低介电常数等优点,被广泛应用于光电、高频......
GaN及其化合物AlGaN，InGaN，AlInGaN在光电器件和高温高速电子器件等方面有着广泛的应用。AlGaN基紫外光探测器是氮化物研究的新热点......
GaN基材料在宽禁带半导体材料的应用中有重要作用。在光电子和微电子方面的研究中GaN基材料发挥着不可替代的角色。本论文主要研究......
摘 要：研究组分变化中InxGa1xN材料光学性能的变化.通过掺杂方式改变InxGa1xN材料In组分含量，获得计算模型.计算结果表明，随着In组分......
硅基低维材料的可见光发射和ＧａＮ基材料的蓝绿光发射是９０年代半导体薄膜材料发光特性研究的两个新方向。本文从能带工程的角度出发，介绍了......
近十年来,氮化镓(GaN)的研究热潮席卷了全球的电子工业。这种材料属于宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移......
GaN材料是性能优越的化合物半导体,与其相关的合金材料可以制作出高亮度蓝光、绿光发光二极管、紫外探测器、半导体蓝色激光器(LD)......
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研究了测试频率为0.3～1.5MHz时GaN基肖特基器件的电容特性.实验发现,在Au/i-GaN肖特基器件的电容-电压（C-V）特性曲线中,出现了峰和负......
为了表征严重影响材料生长和器件性能均匀性的微米尺度的局域非均匀性，采用非接触、快捷的荧光光谱的测量方法，并经数据处理后直接得......
