【摘 要】
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1 α-Si薄膜激光退火多晶硅薄膜是制造高迁移率薄膜半导体（TFT）的材料，TFT又是制造平面显示屏的关键元件。因而如何使非晶硅（α-Si）转变成为多晶硅就成为微电子器件制造中的重要工
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1 α-Si薄膜激光退火多晶硅薄膜是制造高迁移率薄膜半导体（TFT）的材料，TFT又是制造平面显示屏的关键元件。因而如何使非晶硅（α-Si）转变成为多晶硅就成为微电子器件制造中的重要工序。但是，现在使用的多晶硅薄膜都有高密度晶粒边界，显微组织的完整性相当差。用此种材料制造的TFT装置质量都低于用单晶硅薄膜，不能获得高性能和质量均匀稳定的TFT。使用传统加热退火虽能改善组织，提高性能，但必须用昂贵的石英基体。激光退火则可将廉价的玻璃基体上的非晶硅薄膜转化成多晶硅薄膜，而不会损伤玻璃，因此，具有广阔的应用前景
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