【摘 要】
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Ⅲ-Ⅴ族氮化物宽禁带半导体材料体系中，普通方法生长的P型外延层电导率一般都很低，成为了制约器件性能提高的瓶颈。在p-AlxGa1-xN材料中，Mg受主的激活能较大，并且随Al组份增加而
【机 构】
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北京大学物理学院；人工微结构和介观物理国家重点实验室,洛阳光电研究所
【基金项目】
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国家自然科学基金（10774001,60736033,60776041,60876041）,国家重点基础研究发展计划（2006CB604908,2006CB921607）国家“973”计划（TG2007CB307004）资助项目
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Ⅲ-Ⅴ族氮化物宽禁带半导体材料体系中，普通方法生长的P型外延层电导率一般都很低，成为了制约器件性能提高的瓶颈。在p-AlxGa1-xN材料中，Mg受主的激活能较大，并且随Al组份增加而增大。通过在p-AlxGa1-xN材料生长过程中引入三甲基铟（TMIn），发现能有效地降低AlxGa1-xN材料中受主态的激活能。为研究不同In气氛下生长的p-AlxGa1-xN材料的性质，在使用相同二茂基镁（CP2Mg）的情况下，改变TMIn流量，生长了A，B，C和D四块样品。X射线衍射（XRD）组份分析表明：在1100℃
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