【摘 要】
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采用第一性原理计算方法,系统研究了新型二维Zr2CO2/InS异质结的电子结构和光催化性能。计算结果显示,二维Zr2CO2/InS异质结是一种直接带隙半导体材料,晶格失配率低于3%,形成
【机 构】
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内蒙古师范大学物理与电子信息学院,北京大学物理学院
【基金项目】
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国家自然科学基金(11364030,11474012),内蒙古自治区自然科学基金(2020MS01009)
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采用第一性原理计算方法,系统研究了新型二维Zr2CO2/InS异质结的电子结构和光催化性能。计算结果显示,二维Zr2CO2/InS异质结是一种直接带隙半导体材料,晶格失配率低于3%,形成能为–0.49 eV,说明其具有稳定的结构;Zr2CO2/InS异质结的带隙值为1.96 eV,对应较宽的可见光吸收范围,且吸收系数高达105 cm^–1;异质结表现出Ⅱ型能带对齐,价带和导带的带偏置分别为1.24和0.17 eV,表明光生电子从Zr2CO2层转移到InS层,而光生空穴则与之相反,从而实现了电子和空穴在空间
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