【摘 要】
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N.Yellin等采用闭管汽相输运技术获得了组份高度均匀,电阻率高和杂质密度低的晶体。但仍然存在着生长速率慢的弱点,生长的晶粒通常仅有250mm~3,Akutag和Zanio修改了piper-po
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N.Yellin等采用闭管汽相输运技术获得了组份高度均匀,电阻率高和杂质密度低的晶体。但仍然存在着生长速率慢的弱点,生长的晶粒通常仅有250mm~3,Akutag和Zanio修改了piper-polish技术也仅得到了3cm~3的CdTe晶体。本文把原先自行设计的PbSnTe水平闭管汽相输运连续测速装置应用到CdTe晶体上
N.Yellin and other closed-tube vapor transport technology to obtain a highly uniform composition, high resistivity and low density of impurities in the crystal. However, the slow growth rate still exists. The growth of grains is usually only 250 mm 3. Akutag and Zanio modified the piper-polish technique to obtain only 3 cm -3 of CdTe crystals. In this paper, the original design of PbSnTe horizontal closed vapor transport continuous velocity measuring device applied to the CdTe crystal
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