回熔相关论文
采用环形锥状电子東区熔加“堆积”的定向凝固技术制取了尺寸达30～35x200mm的高纯铌单晶。研究了原料品位及工艺参数对单品质量的影......
水库闸阀上的闸板,需要用特殊的铜合金铸造.根据苏联资料,牌号БРОЦА6-6-3锡锌铝青铜具有极优越的抗触性,所以特别适宜于铸造......
在生产各种特殊构造的钢铸件时,可以广泛地采用冷铁。特别是用机器造型时,应用内冷铁是极为方便的。这是因为用了内冷铁后,钢水的......
铝锰青铜 EP．AM9—2可以代替锡青铜EP.OцC5—5—5、BP.OцC8—4—3及Ep.OцC6—6—3等;这种铜合金的流动性极好,很适宜于浇铸铸件,......
在连续统一模型的基础上建立了描述反向凝固结晶器中的流动与传热的数学模型。利用有限差分方法 ,计算出了反向凝固结晶器中母带厚......
复盖熔剂已证明对降低烟尘损耗是有效的,特别是对再生黄铜工业,因该工业在回熔各种类型的回角、碎屑时产生了大量的烟尘(主要为氧......
就性能和寿命而言,铝酸蓄电池质量的决定性因素是浇铸连接条(简称COS)与极板极耳之间的熔接。全自动的COS工艺过程复杂,熔接的最终......
本文阐述了提拉法生长Ｂｉ１２ＳｉＯ２０（ＢＳＯ）晶体中出现的各种宏观缺陷，分析了产生缺陷的原因，并给出了消除缺陷的方法。......
本文首次报告使用ＫＦ助熔剂生长大尺寸优质βＢａＢ２Ｏ４（ＢＢＯ）晶体的研究结果。适合的生长条件为：熔质与熔剂摩尔百分比为ＢａＢ２Ｏ４∶ＫＦ在６６∶３４到７０∶３０范围内；籽晶方向平......
以 0 8Al钢作为母带 ,H90黄铜作为复合层材料 ,系统地研究了反向凝固复合工艺中浸渍复合时间、铜液的温度以及钢带的预热温度和厚......
本文从水平区熔GaAs单晶的生长特性来考虑,分析了选用〔112〕取向籽晶进行晶体生长的主要原因。简略地介绍了〔112〕取向籽晶的定......
用生长一防回熔层的LPE方法制作了波长为1.6μm的GaInAsP/InP隐埋异质结(以下简称BH)激光器。为了防止腐蚀过的晶片在第二次生长时......
以往,检查半导体器件及其管壳需要精巧的技术和复杂的设备。然而,不久前在 IEEE国际可靠性物理会议上报导的一种新方法却并非如此......
研究了P型、直拉Si单晶中旋涡缺陷形成的因素。发现晶体的冷却速度对旋涡缺陷的形成起了决定性作用。氧浓度在0.5～1.7×10~(18)cm~(......
本文介绍InGaAsP/InP双异质结激光器的各种制管工艺,重点介绍隐埋条形和扩散条形的结构和工艺。
This article describes various......
用电流控制恒温液相外延生长Pb_(1-x)Sn_xTe对于2小时生长周期和电流密度5～17A/cm~2,生长温度在 450～600℃,得到 8～70μm生长层厚度。......
外延生长采用水平滑动式液相外延法。衬底为掺Ge的InSb单晶片。母液中掺Te,浓度10~(18)～10~(19)/cm~3。用微量回熔线性冷却工艺,基......
成功地制作了有效保护环结构InP/InGaAsP/InGaAs雪崩光电二极管。该器件是平面结构,在倍增区,其n-InP层被n~--InP所掩埋。采用两步......
本文研究了 LPE GaAs 生长条件对外延层补偿度的影响。根据实验结果,指出衬底表面受热缺砷是形成 Si_(As)受主的原因。
This pape......
本文较详细地介绍了制作半导体三维集成电路的三种方法,即回熔再结晶法、叠层法和异质绝缘层法。此外,对三维集成的其它方法还做了......
在直拉硅单晶生长过程中,熔体热对流对单晶质量有很大影响。一方面,热对流引起的温度波动可引起生长速率的变化,因晶体回熔而引入......
提出了在ＧａＡｓ液相外延过程中，采用生长高纯度缓冲层、高温烘烤生长系统以及回熔衬底片等工艺，获得具有电参数ｎ＝１０１６～１０１７ｃｍ－３，μ＝４～５×１０３ｃｍ２／ｖ·ｓ（３００Ｋ）的ＧａＡｓ液相外延片．总结出生......
本文通过对热处理过程中出现断裂高速钢轧辊的芯部和结合层进行组织、强度、合金含量等方面的检测,发现辊身断裂的主要原因,是由于......
对三种不同工艺的HgCdTe长波器件(标准工艺、回熔处理、离子注入后退火)的Ⅰ-Ⅴ性能分别进行测试,并通过理论计算与实验数据拟合提......
期刊
对三种不同工艺的HgCdTe长波器件（标准工艺、回熔处理、离子注入后退火）的I-V性能分别进行测试，并通过理论计算与实验数据拟合提取上......
