【摘 要】
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采用金属有机气相外延(MOVPE)方法在6英寸(1英寸=2.54 cm)SiC衬底上生长了GaN HEMT材料.使用高分辨X射线衍射仪、原子力显微镜和微区拉曼光谱仪等对材料的表面形貌、晶体质量
【机 构】
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专用集成电路重点实验室,石家庄 050051中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051;
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采用金属有机气相外延(MOVPE)方法在6英寸(1英寸=2.54 cm)SiC衬底上生长了GaN HEMT材料.使用高分辨X射线衍射仪、原子力显微镜和微区拉曼光谱仪等对材料的表面形貌、晶体质量和应力进行了测试和表征.测试结果表明,GaN外延材料(002)面和(102)面的半高宽(FWHM)分别为204“和274”,表面粗糙度(扫描范围为5μm×5 μm)为0.18 nm,GaN外延材料具有较好的晶体质量.拉曼光谱测试结果显示,6英寸GaN外延材料应力为压应力,并得到有效控制.非接触霍尔测试结果显示AlGaN/GaN HEMT结构材料二维电子气(2DEG)迁移率为2 046 cm2/(V·s),面密度为6.78×1012 cm-2,方块电阻相对标准偏差为1.85％,结果表明,制备的6英寸GaN HEMT结构材料具有良好的电学性能.
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