通过自建装置精确测试了发光二极管(LED)的低频(小于102Hz)电学特性。电学测量表明,所有LED在低频下都表现出明显的负电容(NC)现象......

介绍了一种锗硅(Si1-xGex)沟道双栅(DG)负电容(NC)隧穿场效应晶体管(TFET),在Sentaurus TCAD软件中通过耦合Landau-Khalatnikov (L......

为解释发光二极管（LEDs）中的负电容（NC）现象，提出了在有源区与局部强复合效应有关的新模型，首次通过对载流子连续性方程的求解导出了NC的......

对各种发光二极管（LEDs）的负电容（NC）进行了研究。实验结果表明，所有的LEDs都展示了NC现象。电压调制发光（VMEL）实验确认，在发光有源区中注......