论文部分内容阅读
从模拟和实验两方面研究了ＳｉＧｅ／Ｓｉ ＢＨＴ发射结中ｐｎ结界面和ＳｉＧｅ／Ｓｉ界面的相对位置对电流增益和频率特性的影响，发现两界面偏离时器件性能会变差，尤其是当ｐｎ结位于ＳｉＧｅ／Ｓｉ界面之前仅几十Ａ就足以产生相当高的电子寄生势垒，严重恶化器件的性能，据此分析了基区Ｂ杂质的偏析和外扩对器件的影响以及ＳｉＧｅ／Ｓｉ隔离层的作用。