存在集中分布界面态的异质结的C—V特性研究

来源 :复旦学报:自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yucunjiang
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提出用高频C-V法测量半导体异质结中集中分布的界面态的能位位置的方法,并分析了测试温度以及由异质结的能带偏移所引起的载流子积累对测试结果的影响,有这一方法对GaS/GaAs和ZnSe/GaAs两种异质结进行了测试,发现在这两种异质界面上均存在集中分布的界面态,其能级位置分别为Ec-0.41eV,Ec-0.51eV。
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