【摘 要】
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采用热阴极PCVD法,在CH4/H2的混合反应气源中通入不同气体（氩气、氮气）在P型（100）硅衬底上,合成了纳米金刚石膜。结果表明：Ar-90%时,金刚石薄膜表面晶粒尺寸达到纳米量级,在表面出
【机 构】
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牡丹江师范学院新型碳基功能与超硬材料省级重点实验室
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采用热阴极PCVD法,在CH4/H2的混合反应气源中通入不同气体（氩气、氮气）在P型（100）硅衬底上,合成了纳米金刚石膜。结果表明：Ar-90%时,金刚石薄膜表面晶粒尺寸达到纳米量级,在表面出现二次形核现象;N2-1%时,金刚石薄膜表面晶粒细化,晶界和缺陷增多,出现纳米级＂菜花状＂结构,氮气对金刚石晶粒有一定刻蚀作用出现凹陷生长现象。
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