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针对薄外延横向功率集成技术的发展，提出一种降低体内电场REBULF（REduced BULk Field）的新耐压技术，并设计了一例具有n^＋浮空层的REBULF LDMOS新结构．新耐压机理是通过嵌入在高阻衬底中的n^＋浮空层的等电位调制作用，提高源端体内低电场而降低漏端体内高电场使纵向电场重新分配，同时使衬底耐压提高．借助二维数值分析，验证了满足REBULF的条件为n^＋层的位置与衬底浓度的乘积不大于1×10^12cm^-2；保证低的比导通电阻条件下，新结构较传统LDMOS结构击穿电压可提高