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用于射频电路的CMOS器件设计
用于射频电路的CMOS器件设计
来源 :中国集成电路 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ellenaic
【摘 要】
:
CMOS IC依靠按比例缩小技术不断向前发展,现在已进入深亚微米至纳米时代,这不仅意味着Gbit规模的集成度、GHz的时钟频率以及系统芯片(SOC)的实现,也使CMOS技术进入射频(RF)领
【作 者】
:
甘学温
程伟
张兴
【机 构】
:
北京大学微电子所,北京大学微电子所
【出 处】
:
中国集成电路
【发表日期】
:
2002年9期
【关键词】
:
射频电路
双极晶体管
截止频率
有效沟道长度
深亚微米
最小噪声系数
双极器件
工作频率
电流比
比例缩小
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CMOS IC依靠按比例缩小技术不断向前发展,现在已进入深亚微米至纳米时代,这不仅意味着Gbit规模的集成度、GHz的时钟频率以及系统芯片(SOC)的实现,也使CMOS技术进入射频(RF)领域。实现1-2GHz的工作频率对CMOS已经不是什么困难
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