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本文采用坩埚下降法生长出２０ｍｍ＊２０ｍｍ＊１００ｍｍ优质Ｂｉ４Ｓｉ３Ｏ１２晶体及Ｃｅ、Ｎｄ和Ｅｕ掺杂Ｂｉ４Ｓｉ３Ｏ１２晶体。
稀土元素（Ce,Nd和Eu）掺杂Bi4Si3O12晶体的生长与性能
【摘 要】
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本文采用坩埚下降法生长出２０ｍｍ＊２０ｍｍ＊１００ｍｍ优质Ｂｉ４Ｓｉ３Ｏ１２晶体及Ｃｅ、Ｎｄ和Ｅｕ掺杂Ｂｉ４Ｓｉ３Ｏ１２晶体。
【机 构】
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中国科学院上海硅酸盐研究所
【出 处】
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人工晶体学报
【发表日期】
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1999年1期
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