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利用离子注入量子阱混杂技术，成功研制了三段取样光栅(SG)-DBR激光器．器件不连续调谐范围超过30nm。边模抑制比大于30dB．
宽带可调谐取样光栅DBR激光器
【摘 要】
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利用离子注入量子阱混杂技术，成功研制了三段取样光栅(SG)-DBR激光器．器件不连续调谐范围超过30nm。边模抑制比大于30dB．
【机 构】
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中国科学院半导体研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2005年5期
【基金项目】
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国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:2002AA312150)~~
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