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光学技术2019年第45卷第4期 目录
【出 处】
:
光学技术
【发表日期】
:
2019年45期
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正由劳伦斯·利弗莫尔国家实验室研究的一种称为“激光比例绘图仪”的新方法可以使设计、制造、试验样机和定额生产特殊电路所需的时间从数周减少到几小时。最近在巴尔的摩CLEO会议上展示了这项技术,它通过选定气体传输强的激光脉冲可把集成电路直接“画”到硅晶片上。
期刊
考虑了带电粒子沟道辐射的衰减和晶格场的周期性,把粒子运动方程化为具有弱阻尼和弱激励的摆方程。讨论了带电粒子面沟道辐射的混沌(Chaos)行为,计算了系统的Melnikov函数,导出了系统的阈值和通向混沌的可能途径。
期刊
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本文用质子交换反应在5mol%MgO:LiNbO_3晶体中引起了e光折射率的增加,晶体中MgO的存在并不影响LiNbO_3质子交换光波导阶跃型折射率分布的特点。用常规的质子交换法制备的MgO:LiNb·O_3波导存在着损耗大和有效折射率不稳定的缺点,经过退火处理后,这些缺点可明显地得到改善。