切换导航
文档转换
企业服务
Action
Another action
Something else here
Separated link
One more separated link
vip购买
不 限
期刊论文
硕博论文
会议论文
报 纸
英文论文
全文
主题
作者
摘要
关键词
搜索
您的位置
首页
期刊论文
利用清洁发展机制 开发利用鹤壁矿区煤层气
利用清洁发展机制 开发利用鹤壁矿区煤层气
来源 :煤炭加工与综合利用 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ccc1A2B3C
【摘 要】
:
论述了清洁发展机制的内容以及该机制对于我国开发利用煤层气的重要意义;简述了鹤壁矿区煤层气的储存情况及开发利用现状;鹤壁矿区在煤层气清洁发展机制项目方面已与法国一家
【作 者】
:
马文清
王茂松
【机 构】
:
鹤壁煤业集团公司院校信息处
【出 处】
:
煤炭加工与综合利用
【发表日期】
:
2007年3期
【关键词】
:
清洁发展机制
煤层气
利用
下载到本地 , 更方便阅读
下载此文
赞助VIP
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
论述了清洁发展机制的内容以及该机制对于我国开发利用煤层气的重要意义;简述了鹤壁矿区煤层气的储存情况及开发利用现状;鹤壁矿区在煤层气清洁发展机制项目方面已与法国一家公司签订了合作协议,将抓住清洁发展机制提供的机遇,大力开展煤层气综合利用工作。
其他文献
微课在小学中的设计与应用
随着科学技术的发展,涌现出许多新型教学方式,微课便是其中一种,目前已逐渐得到应用,特别是小学信息技术课,学生通过微课能学习更多知识、掌握信息技术.微课能提升小学信息技
期刊
微课
小学
信息技术教学
设计与应用
针对士官学员“船艇原理与结构”课程的教学研究
本文以士官生“船艇原理与结构”课程为例,介绍了该课程的基本情况,指出了该课程教学中可能存在的问题,并提出了相应的解决办法,以供学员更好的掌握理解“船艇原理与结构”这
期刊
船艇原理与结构
船艇使用维护
教学方法
军事技术人才
如何调动后进生的积极性
调动后进生的学习积极性, 要用全面的发展的眼光, 发现学生的优点.要让每个学生都树立学习的信心, 让他们确定自己在班集体中的位置, 发现自身的优点; 也要求班主任用全面发
期刊
调动
积极性
满足
n埋层PSOI结构射频功率LDMOS的输出特性
提出了具有n埋层PSOI(部分SOI)结构的射频功率LDMOS器件.射频功率LDMOS的寄生电容直接影响器件的输出特性.具有n埋层结构的PSOI射频LDMOS,其Ⅰ层下的耗尽层宽度增大,输出电容减
期刊
PSOI
n埋层
射频功率LDMOS
输出特性
PSOI
buried n layer
RF power LDMOS
output characteris
如何上好每一节音乐课
音乐作为历史最悠久、 最具感染力的艺术形式之一, 可以陶冶情操、 增进人与人之间的感情.上好每一节音乐课是每位音乐教育工作者不可推卸的责任.鉴于此, 本文将针对上好每节
期刊
音乐
教学
多媒体
器乐
煤自燃的原因及倾向性预测
分析了暴露在空气中的煤发生自然的影响因素,如硫铁矿含量、煤质及煤岩组分、环境温度、煤炭粒度等,介绍了煤自然倾向性的三种预测方法。
期刊
原因
倾向性
煤炭
自然
影响因素
预测方法
(GaN)n/(AlN)n应变层超晶格的电子结构
以Free-Standing条件生长的超晶格原胞为计算模型,运用LCAO-Recursion方法研究了(GaN)n/(AlN)n(001)应变层超晶格的电子结构.由计算结果分析了GaN/A1N应变层超晶格中Ga,Al和N之间的成键
期刊
Recursion方法
(GaN)n/(AlN)n
应变层超晶格
电子结构
缺陷能级
Recursion method
(GaN)n/(AlN)n
strai
优化配煤提高焦炭质量的应用研究
针对株洲煤气焦化厂焦炭质量出现的问题,进行了合理利用煤源,优化配煤,降低生产成本,提高焦炭质量的研究.指出用谭家山煤替代牛马司煤配合炼焦是可行的,实际生产结果令人满意
期刊
炼焦
配煤
焦炭质量
成本
经济效益
利用过滤理论优化设计精煤压滤机
结合过滤理论,分析了影响精煤脱水的原因;利用过滤理论优化设计精煤压滤机,可准确计算压滤机的最大生产能力;应依据不同煤质选择不同的过滤系统.
期刊
选煤
精煤压滤机
当量过滤液体
操作周期
强气压穿流
生产能力
pressure filter
forced air permeation
throughp
应变Si1-xGex pMOSFET反型沟道空穴低场迁移率模型
在考虑应变对SiGe合金能带结构参数影响的基础上,提出了一个半经验的应变Si1-xGex/Si pMOSFET反型沟道空穴迁移率模型.在该模型中,给出了迁移率随应变的变化,并且考虑了界面陷阱电
期刊
P-MOSFET
应变Sil
Gex
空穴迁移率
p-MOSFET
strained Si1-xGex
hole mobility
与本文相关的学术论文