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期刊论文
一种新型半导体超辐射集成光源
一种新型半导体超辐射集成光源
来源 :高技术通讯 | 被引量 : 0次 | 上传用户:terrychou
【摘 要】
:
为有效地提高超辐射输出功率,满足超辐射发光管应用领域不断扩大的需要,提出了超辐射发光管与半导体光放大器单片集成的思想,并采用AlGaAs单量子阱、增益导引的氧化物条形结
【作 者】
:
赵永生
杜国同
姜秀英
韩伟华
李雪梅
宋俊峰
高鼎三
Gr
【机 构】
:
吉林大学电子工程系,集成光电子学国家重点联合实验室,长春,130023Materials Research Center, Northwestern University, Evanston, U.S
【出 处】
:
高技术通讯
【发表日期】
:
1998年1期
【关键词】
:
超辐射发光管
半导体光放大器
集成光源
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为有效地提高超辐射输出功率,满足超辐射发光管应用领域不断扩大的需要,提出了超辐射发光管与半导体光放大器单片集成的思想,并采用AlGaAs单量子阱、增益导引的氧化物条形结构,对该集成器件进行了初步研制.实验结果表明,这种集成器件可有效地提高超辐射输出功率,有望成为新一代大功率超辐射光源.
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