超辐射发光管相关论文
超辐射发光管（Superluminescent diode,SLD）具有高功率、宽光谱、低相干性等发光性质,在光通信、工业国防、生物影像、光纤工业等领......
为提高半导体超辐射器件的输出功率，在原有的将超辐射发光管(SLD)与半导体光放大器(SOA)单片集成的基础上，将器件电流注入区中心轴线......
半导体超辐射发光管是实现半导体外腔激光器、光纤光栅激光器的关键元器件，而实现半导体超辐射发光管的关键技术在于解决半导体激光......
超辐射发光管同时具有激光器的大功率和发光二极管的宽光谱的特性，在许多领域有着重要的应用，如外腔可调谐激光器、光纤陀螺仪、光学......
该论文的主要工作是高功率集成超辐射发光管的研制.该论文在原有的超辐射发光管与锥形放大器单片集成的基础上设计了倾斜型集成超......
可调谐光栅外腔半导体激光器是一种采用半导体增益器件并依靠光栅选模的固态激光器，具有波长调谐范围大、光谱线宽窄、功率大等优点......
为适应光谱分割技术的需求 ,我们采用 In Ga As P/ In P单量子阱外延片 ,用直接耦合的方法将超辐射发光管与半导体光放大器单片集......
为有效地提高超辐射输出功率,满足超辐射发光管应用领域不断扩大的需要,提出了超辐射发光管与半导体光放大器单片集成的思想,并采......
在中心波长1310nm的InGaAsP半导体激光器端面设计并镀制了剩余反射率小于0.03% 的三层减反射膜,得到了放大自发辐射波纹小于0.5dB......
为提高半导体超辐射器件的输出功率 ,采用直接耦合的方法 ,将超辐射发光管 (SL D)与半导体光放大器 (SOA)单片集成 ,制得了 1.3μm......
采用非均匀阱宽多量子阱材料拓宽超辐射器件的输出光谱 ,并利用前期关于倾斜脊形集成超辐射光源的研究成果 ,制得了新型的 1 5 5 ......
为有效地提高超辐射输出功率，满足超辐射发光管应用领域不为扩大的需要，提出了超辐射发光管与半导体光放大器单片集成的思想，并采用ＡｌＧａＡｓ单......
为了满足超辐射发光管的短波长应用,采用InAlGaAs/AlGaAs量子点有源区和干法刻蚀工艺制备了短波长弯曲波导超辐射发光管。在1.6A脉......
对半导体激光器腔面分别蒸镀单层和双层减反射膜（ＡＲ）制备超辐射发光管（ＳＬＤ），测试了器件功率特性、光谱特性和远场分布，并计算了器件端面的剩余......
台面制作工艺对1.3μm应变补偿多量子阱SLD的器件性能有重要的影响。根据外延结构，分析比较了两种台面制作的方法，即选择性湿法腐蚀......
减反射膜层折射率和厚度的精密监控是超辐射发光管的关键技术。分析了超辐射发光管端面减反射膜的四种膜系，提出了监控薄膜厚度的挡......
3 SLD应用及其性能要求SLD具有高亮度、宽光谱、弱时间相干性、低噪声、高光纤耦合效率等优点，被广泛应用于光纤陀螺仪（FOG）、光学相......
简要回顾了超辐射发光管（SLD）的发展历史、量子点SLD的提出及优点，介绍了SLD的工作原理、器件结构及表征参数，详细分析了近年来国内外......
采用阳极氧化方法和MBE生长技术进行了非均匀阱宽InGaAs／A1GaAs多量子阱超辐射发光管器件的设计和工艺制作，研究了三种条形结构器件......
为提高光纤陀螺准确度、实现工程化应用,分析了SLD光源内部的热结构,建立了全数字光源控制系统.测试结果表明:在变温环境下(-15℃～5......
超辐射发光二极管（superluminescent diode简称SLD）具有光谱宽、功率大等优点。作为一种特殊光源，SLD已经被广泛应用。简要介绍了SLD......
超辐射发光管(SLD)可以作为光纤陀螺(FOG)、波分复用光纤通讯及光处理技术、光时域反射仪(OTDR)等的光源，近些年来在国内外多有研究......
为解决超射辐射发光管输出功率低的问题，利用半导体锥形光放大器对超辐射光加以放大，并采用直接耦合方式将超辐射发光管与半导体锥形......
针对超辐射发光管(SLED)的热特性,进行了仿真分析;通过研制的脉冲PIV测试仪对SLED发光区的温度进行了测试,验证了仿真分析结果。......
期刊
在中心波长1310nm的InGaAsP半导体激光器端面设计并镀制了剩余反射率小于0.03% 的三层减反射膜,得到了放大自发辐射波纹小于0.5dB......
为适应光谱分割技术的需求，我们采用ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ单量子阱外延片，用直接耦合的方法将超辐射发光管与半导体光放大器单片集成，制得了１．３μｍ长波长超辐射......
超辐射发光二级管因其大的输出功率、较宽的光谱、短的相干度等优良特性,广泛应用于光纤陀螺、光学层析成像系统、波分复用系统及......
