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运用循环伏安法（CV）考察了甘草苷在悬汞电极（HMDE）上的电化学还原行为，在-0．7～-1．7V（vs.SCE）电位窗口及0．10mol／L（NH4）2SO4溶液中甘草苷在HMDE上的循环伏安行为是一在低扫描速度（〈100mV／s）下受吸附控制，在高扫描速度下受扩散控制的不可逆还原过程，还原峰电位（Epc）为-1．491V。运用计时库仑法（CC）、计时电流法（CA）测定并计算了甘草苷的电荷传递系数α、扩散系数D以及表观速率常数K等电极过程动力学参数。初步探讨了甘草苷在HMDE上的反应机理，同时运用方波伏