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观察和分析了微电子器件ＳｉＯ２介质覆盖层对Ａｌ－Ｃｕ金属化系统可靠性的影响。在１．２×１０６Ａ／ｃｍ２、３００℃、Ｎ２气氛保护的电徙动实验条件下，ＳｉＯ２覆盖层影响着Ａｌ－Ｃｕ膜互连线的形态和晶粒尺寸，使Ａｌ－Ｃｕ膜晶粒尺寸从０．５～１．０１ｍ长大至２～３ｍ；从而有效地提高了Ａｌ－Ｃｕ膜的电徙动寿命。