硅外延S坑缺陷的研究

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:shanwq1983
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用扫描电镜,透射电镜和二次离子质谱研究了硅外延片中的S坑缺陷。在S坑缺陷中观察到一种线度比通常S坑更大的浅底坑缺陷。研究表明S坑缺陷分布在3 ̄4μm深 的外延表面层中,其结构为位错缠结及带有杂质沉淀的缺陷团。S坑缺陷起因于金属杂质的沾污。
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