n-GaN上Ti/Al电极的表面处理与退火

来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jary_chane

【摘要】

：

实验研究了不同表面处理方法和不同退火条件对GaN上的Ti/Al电极的影响,用CH3CSNH2/NH4OH处理后的GaN材料的荧光光谱强度最高,在该材料上制作的Ti/Al电极的欧姆接触电阻率最小

【作者】

：

刘磊陈忠景何乐年

【机构】

：

浙江大学

【出处】

：

半导体光电

【发表日期】

：

2004年2期

【关键词】

：

GaN 欧姆接触表面处理退火

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实验研究了不同表面处理方法和不同退火条件对GaN上的Ti/Al电极的影响,用CH3CSNH2/NH4OH处理后的GaN材料的荧光光谱强度最高,在该材料上制作的Ti/Al电极的欧姆接触电阻率最小.通过欧姆接触电阻率,I-V曲线,X射线衍射等手段,分析了GaN与Ti/Al 电极接触表面在退火过程中的固相反应,提出了二次退火的方法.

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