氧化锌锡作为电子传输层的量子点发光二极管

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本文研究了以胶状量子点作为发光层和有机/无机混合材料作为电子-空穴传输层的电致发光二极管器件.CdSe量子点以薄膜的形式夹在无机氧化锌锡电子传输层和有机TPD空穴传输层中间构成三明治结构.氧化锌锡电子传输层采用磁控溅射实现,有机TPD空穴传输层和量子点发光层则采用旋涂的方法制备,得到的QD-LEDs器件结构界面陡峭、表面平整.光电特性表征结果显示器件的电致发光具有良好的单色性、低的开启电压,利用具有高电子迁移率和低载流子浓度的无机氧化锌锡薄膜作为电子传输层可以实现器件在大气环境下稳定、明亮的电致发光.本文分析了器件的工作机理并通过改变氧化锌锡的电导率达到控制器件中电子和空穴的注入比的目的,优化了器件的光电性能. In this paper, we studied the electroluminescent diode device using colloidal quantum dots as the light emitting layer and organic / inorganic hybrid materials as electron-hole transport layer.CdSe quantum dots in the form of thin films sandwiched between the inorganic zinc tin oxide electron transport layer and the organic TPD Hole transport layer sandwiched between sandwich structure.Zinc tin oxide electron transport layer using magnetron sputtering, organic TPD hole transport layer and quantum dot light-emitting layer is prepared by spin-coating method, the resulting structure of the QD-LEDs device interface steep , The surface is smooth.The photoelectric characterization results show that the device has good monochromatic electroluminescence, low turn-on voltage, the use of a high electron mobility and low carrier concentration of inorganic zinc tin oxide film as the electron transport layer can be achieved The device is stable and bright electroluminescence under atmospheric environment.This paper analyzes the working mechanism of the device and optimizes the photoelectric performance of the device by changing the conductivity of zinc tin oxide to control the injection ratio of electrons and holes in the device.
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