晶体(ZnKPO4.6H2O)∶VO2+的自旋哈密顿参数及局域结构

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基于晶体场理论和电荷转移机制,采用双旋-轨耦合参量模型的3d~1离子在D_(4h)对称的晶场中自旋哈密顿参量的高阶微扰公式和晶场能级公式,计算了(ZnKPO_4·6H_2O)∶VO~(2+)晶体的光吸收谱和自旋哈密顿参量。本文不仅考虑了晶场机制,同时也考虑了电荷转移机制。计算结果与实验数据是一致的。说明电荷转移机制对(ZnKPO_4·6H_2O)∶VO~(2+)晶体的自旋哈密顿参量的结果有不可忽略的作用。 Based on the crystal field theory and charge transfer mechanism, the high-order perturbation formula and the crystal field level formula of the spin Hamiltonian in the symmetry D_ (4h) crystal field of the 3d ~ 1 ion with the doubly- The light absorption spectra and spin Hamiltonian parameters of (ZnKPO 4 · 6H 2 O) :VO 2+ crystals were calculated. This paper not only considers the crystal field mechanism, but also considers the charge transfer mechanism. The calculation results are consistent with the experimental data. Indicating that the mechanism of charge transfer has a non-negligible effect on the spin Hamiltonian of (ZnKPO_4 · 6H_2O) :VO 2+ crystals.
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