SiNX覆盖层厚度对非晶In-Ga-Zn-O薄膜退火晶化的影响研究

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【摘要】

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采用射频磁控溅射在二氧化硅衬底上沉积一层厚度200nm的非晶In-Ga-Zn-O(IGZO)薄膜,并在IGZO膜层上沉积厚度分别为20nm、50nm、60nm、70nm、90nm的SiNX薄膜覆盖层,于350℃条件

【作者】

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胡浩威井津域李钦宋忠孝

【机构】

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安徽建筑大学环境与能源工程学院,西安交通大学,安徽建筑大学材料与化学工程学院

【出处】

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人工晶体学报

【发表日期】

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2019年5期

【关键词】

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非晶IGZO薄膜退火晶化 N2退火 SINX amorphous IGZO thin film annealing crystallization N2 an

【基金项目】

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安徽省自然科学基金青年基金(1808085QE164).

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采用射频磁控溅射在二氧化硅衬底上沉积一层厚度200nm的非晶In-Ga-Zn-O(IGZO)薄膜,并在IGZO膜层上沉积厚度分别为20nm、50nm、60nm、70nm、90nm的SiNX薄膜覆盖层,于350℃条件下N2气氛中退火1h。采用X射线衍射(XRD)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、能量色散谱仪(EDS)对IGZO薄膜的微观结构及成分进行研究。研究结果表明,退火后无覆盖层的IGZO膜层仍为非晶状态,70nm以上SiNX覆盖层下的IGZO薄膜不发生晶化。与此不同,20~60nm的SiNX覆盖层

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