6H—SiC表面热氧化SiO2的正电子谱研究

来源 :四川大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：sdausunyu

【摘要】

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本文将慢正电子湮灭多普勒展宽谱技术，应用于对SiC表面热氧化生长的SiO2特性的研究．S参数和W参数在退火前后的变化，直观的反映出SiO2／SiC表面氧化层中空位型缺陷浓度的改变．通过与

【作者】

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袁菁龚敏王海云翁惠民

【机构】

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四川大学物理科学与技术学院微电子技术四川省重点实验室,中国科技大学近代物理系

【出处】

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四川大学学报(自然科学版)

【发表日期】

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2010年2期

【关键词】

：

慢正电子湮灭多普勒展宽谱 6H—SiC SIO2 空位型缺陷退火工艺 positron annihilation doppler-spread- spectr

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本文将慢正电子湮灭多普勒展宽谱技术，应用于对SiC表面热氧化生长的SiO2特性的研究．S参数和W参数在退火前后的变化，直观的反映出SiO2／SiC表面氧化层中空位型缺陷浓度的改变．通过与SiO2／Si样品的对比，证实C元素及其诱生空位型缺陷的存在，很可能是影响SiO2／SiC氧化层质量和SiCMOS击穿特性的重要因素，后退火工艺可以提高SiO2／SiC中氧化层的致密性．实验表明，慢正电子湮灭多普勒展宽谱是研究热氧化SiO2特性的有效手段．

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