本文将慢正电子湮灭多普勒展宽谱技术，应用于对SiC表面热氧化生长的SiO2特性的研究．S参数和W参数在退火前后的变化，直观的反映出SiO2／S......

用从头计算方法总能理论研究了6H—SiC（0001）（√3×√3）R30°衬底上生长的GaN薄膜的界面结构特性．计算结果表明：GaN膜为Ga极性的......

在考虑源漏串联电阻的基础上，建立了～组适用于SiC PMOSFET的解析模型．计算结果与实验结果符合得很好．......

碳化硅（SIC）是第三代宽禁带半导体材料，在高温、高频、高功率、光电子及抗辐射等方面具有巨大的应用潜力。以CH4、SiH4为反应气体，H2为......