【摘 要】
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采用直流热阴极CVD法以B（OCH3）3为掺杂剂制备了硼掺杂金刚石薄膜,利用等离子体发射光谱、SEM、Ram an和XRD研究了硼掺杂对金刚石薄膜生长特性的影响,通过与未掺杂金刚石薄膜的
【机 构】
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哈尔滨工业大学城市水资源与水环境国家重点实验室,牡丹江师范学院物理系
【基金项目】
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基金项目：国家自然科学基金（50638020）,黑龙江省杰出青年基金（JC-02-04）,城市水资源与水环境国家重点实验室开放研究基金（QA200805）
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采用直流热阴极CVD法以B（OCH3）3为掺杂剂制备了硼掺杂金刚石薄膜,利用等离子体发射光谱、SEM、Ram an和XRD研究了硼掺杂对金刚石薄膜生长特性的影响,通过与未掺杂金刚石薄膜的对比发现：在直流热阴极CVD系统中,低浓度硼掺杂条件下能够长时间维持稳定的辉光放电.掺硼后辉光等离子体活性基团（Hα、Hβ、C2、CH）的种类没有改变,但C2基团的浓度升高,而CH基团的浓度下降,薄膜的生长速率提高到0.65mg.cm-2.h-1.硼掺杂金刚石薄膜为多晶薄膜,晶体生长良好,取向以（111）晶面为主,质量较未
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