【摘 要】
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AlN陶瓷是一种性能优良的电子封装材料,但不容易与金属直接连接在一起.实验采用98（Ag28Cu）2Ti活性焊料,在真空条件下实现了AlN陶瓷与Mo-Ni-Cu合金的活性封接.利用EBSD、EDS、XR
【机 构】
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北京科技大学粉末冶金研究所,北京有色金属研究院
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AlN陶瓷是一种性能优良的电子封装材料,但不容易与金属直接连接在一起.实验采用98（Ag28Cu）2Ti活性焊料,在真空条件下实现了AlN陶瓷与Mo-Ni-Cu合金的活性封接.利用EBSD、EDS、XRD方法研究了焊接区域以及剪切试样断裂表面的微观结构和相组成,测定了焊区的力学性能和气密性.研究结果显示：在AlN陶瓷界面上有TiN生成,说明陶瓷与焊料之间是一种化学键合,而在Mo-Ni-Cu合金的界面上有少量的Ni-Ti金属间化合物存在.剪切后试样的断裂面上有TiN和AlN,说明断裂发生在靠近陶瓷的焊层区域
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