【摘 要】
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表面抛光及腐蚀是 InSb红外焦平面探测器芯片制备的重要工艺.本文针对腐蚀后粗糙表面、腐蚀坑和精抛后“亮点”等问题,分析了压力、转速、抛光料配比、滴料速度等工艺条件对
【机 构】
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云南师范大学物理与电子信息学院,昆明物理研究所,云南省光电信息技术重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目（61274137,11304274）,云南省教育厅基金资助项目（2014Z043）.
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表面抛光及腐蚀是 InSb红外焦平面探测器芯片制备的重要工艺.本文针对腐蚀后粗糙表面、腐蚀坑和精抛后“亮点”等问题,分析了压力、转速、抛光料配比、滴料速度等工艺条件对 InSb形貌的影响.实验发现,在压力低于 4.5 N、转速低于 80 r/min、抛料配比为 1：1、滴料速度小于 1滴/s或加入氧化剂 H2O2时,InSb芯片表面“亮点”得到了有效的解决.采用自行研制的 AB腐蚀液对抛光后的材料进行腐蚀,消除损伤层,处理后 InSb芯片表面光亮、平整.经表面处理过的芯片制备而得器件所测 I-V 曲线
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