低相位噪声低功耗LC压控振荡器的设计

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在分析压控振荡器相位噪声的基础上,通过采用尾电流整形滤波技术设计了一种低相位噪声低功耗差分LC压控振荡器。电路设计采用TSMC 0.18um 1P6M CMOS RF工艺,利用Cadence软件中的SpectreRF工具对电路进行了仿真,结果显示,在电源电压VDD=1.8V时,其中心频率为1.8GHz,频率的变化范围为1.43~1.82GHz,相位噪声为-121dBc/Hz@600kHz。静态功耗仅为2.5mW(1.8V×1.39mA)。
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