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在p型单晶硅衬底上沉积1层n型纳米硅薄膜制成nc-Si/c-Si异质结二极管,测量了异质结的C-V特性.根据C-V实验曲线,计算出异质结的接触电势差,再用接触电势差计算了导带的偏移量,进而求得禁带宽度.计算结果与其他文献报道的结果符合得很好.
电容-电压法测定纳米硅的禁带宽度
【摘 要】
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在p型单晶硅衬底上沉积1层n型纳米硅薄膜制成nc-Si/c-Si异质结二极管,测量了异质结的C-V特性.根据C-V实验曲线,计算出异质结的接触电势差,再用接触电势差计算了导带的偏移量,
【机 构】
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西北师范大学
【出 处】
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西北师范大学学报：自然科学版
【发表日期】
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2005年2期
【基金项目】
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国家自然科学基金，教育部科学技术基金，甘肃省自然科学基金，西北师范大学校科研和教改项目
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