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硅基GaAs/GaAlAs平面光波导的研究
硅基GaAs/GaAlAs平面光波导的研究
来源 :红外与毫米波学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:XDCHZHTXZHY
【摘 要】
:
分析了金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD)GaAs/GaAsAl/GaAs/Si材料结构的性能,用MOCVD法地硅衬底上生长了GaAs/GaAsAl/GaAs材料,并用这种材料制备了平面光波导样品,测定了1.3μm,单模激光的传输损耗小于0.65dB/cm。
【作 者】
:
赵策洲
朱作云
李跃进
刘恩科
李国正
刘西钉
【机 构】
:
西安电子科技大学微电子所,西安交通大学电子工程系
【出 处】
:
红外与毫米波学报
【发表日期】
:
1996年3期
【关键词】
:
GaAsAl
MOCVD
光波导
砷化镓
GaAs/GaAlAs/GaAs/Si structure
MOCVD
optical waveguide.
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分析了金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD)GaAs/GaAsAl/GaAs/Si材料结构的性能,用MOCVD法地硅衬底上生长了GaAs/GaAsAl/GaAs材料,并用这种材料制备了平面光波导样品,测定了1.3μm,单模激光的传输损耗小于0.65dB/cm。
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