【摘 要】
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一、引言多年来,非本征锗光电导体(即掺Au、Cd、Cu、Hg和Ge)在探测4～40微米红外辐射方面占有重要地位。由于半导体工艺取得了新进展,已能生长小禁带宽度的优质二元和三元合金
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一、引言多年来,非本征锗光电导体(即掺Au、Cd、Cu、Hg和Ge)在探测4～40微米红外辐射方面占有重要地位。由于半导体工艺取得了新进展,已能生长小禁带宽度的优质二元和三元合金,例如Insb、PbSnTe和HgCdTe。良好的制造工艺也已研究成功,
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