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温度和电场对a—SiC:H TFLED发光亮度的影响
温度和电场对a—SiC:H TFLED发光亮度的影响
来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户:gloriayl2005
【摘 要】
:
通过载流子注入和复合输运模型 ,分析比较了温度和电场对 pin注入型非晶硅碳薄膜发光二极管 (a -SiC :HTFLED)发光亮度的影响。分析表明发光有源i层内大电场尤其是大电流引起
【作 者】
:
周亚训
王晓东
【机 构】
:
宁波大学!宁波315211
【出 处】
:
半导体光电
【发表日期】
:
2000年1期
【关键词】
:
发光二极管
非晶硅碳薄膜
发光亮度
温度
电场
amorphous silicon carbon thin film light-emitting diodes
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通过载流子注入和复合输运模型 ,分析比较了温度和电场对 pin注入型非晶硅碳薄膜发光二极管 (a -SiC :HTFLED)发光亮度的影响。分析表明发光有源i层内大电场尤其是大电流引起的高温度决定着大电流下二极管的发光亮度。
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