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不同离轴滤波器增大焦深的新型曝光方法已研制中ＫｒＦ准分子激光光刻技术生产第二代６４Ｍ ＤＲＡＭ器件增添了活力。用这种新制作０．３５μｍ的Ｘ，Ｙ向及斜向的图形，可使焦深增大４５％以上。
变形光束的优化增大了焦深
【摘 要】
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不同离轴滤波器增大焦深的新型曝光方法已研制中ＫｒＦ准分子激光光刻技术生产第二代６４Ｍ ＤＲＡＭ器件增添了活力。用这种新制作０．３５μｍ的Ｘ，Ｙ向及斜向的图形，可使焦深增大４５％以上。
【出 处】
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电子工业专用设备
【发表日期】
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1996年4期
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